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논문 기본 정보

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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제17권 제4호
발행연도
2006.4
수록면
368 - 379 (12page)

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본 논문에서는 기존의 실험 위주의 설계 기법보다는 해석적 방법에 의하여 3단으로 구성된 평판형 리미터 설계 및 제작 기법을 제시하였다. 해석 결과 PIN 다이오드로 구성된 리미터에 고출력의 RF 입력이 인가될 경우 두 가지 형태의 누설 전력이 발생하며 이의 PIN 다이오드 파라미터와 연관성을 설명하였다. 설계된 리미터 회로는 1단과 2단은 PIN diode로 구성되며 3단은 Schottky 다이오드를 사용 구성하였다. 이를 통하여 제작된 리미터 회로는 약신호시 삽입 손실 0.8 ㏈, 20 W RF 입력시 첨두 누설 전력(spike leakage) 12 ㏈m, 정상 누설 전력 12 ㏈m의 사양을 보여주고 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 리미터 회로의 설계 및 제작
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (16)

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