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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.10
- 수록면
- 52 - 62 (11page)
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본 논문에서는 3치 논리 게이트, 3치 D 플립플롭과 3치 4-디지트 병렬 입력/출력 레지스터를 제안하였다. 3치 논리 게이트는 n 채널 패스 트랜지스터와 뉴런 MOS(νMOS) 임계 인버터로 구성된다. 3치 논리게이트들은 다양한 임계 전압을 갖는 다운 리터럴 회로를 사용하였고 전송함수를 바탕으로 설계되었다. 뉴런 MOS 트랜지스터는 다치 논리 구현에 가장 적합한 게이트이고 다양한 레벨의 입력 신호를 갖는다. 3치 D 플립 플롭과 3치 레지스터는 3치 데이터를 임시로 저장할 수 있는 저장 장치로 사용할 수 있다. 본 논문에서는 3.3V의 전원 전압을 사용하였고 0.35um 공정 파라미터를 이용하여 모의 실험을 통해 그 결과를 HSPICE로 검증하였다.
목차
요 약
Abstract
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 3치 논리 게이트
Ⅲ. 3치 D 플립-플롭과 레지스터
Ⅳ. 실험 결과
Ⅴ. 결 론
참 고 문 헌
저 자 소 개
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