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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2002년 춘계학술대회논문집
발행연도
2002.5
수록면
1,203 - 1,208 (6page)

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The present article deals with the numerical investigation on micro-scale heat transfer phenomena in a
silicon microstructure irradiated by picosecond-to-femtosecond ultra-short laser pulses. Carrier-lattice nonequilibrium
phenomena are simulated with a self-consistent numerical model based on Boltzmann transport
theory to obtain the temporal evolution of the lattice temperature, the carrier number density and its
temperature. Especially, an equilibration time, after which carrier and lattice are in equilibrium, is newly
introduced to quantify the time duration of non-equilibrium state. Significant increase in carrier temperature is
observed for a few picosecond pulse laser, while the lattice temperature rise is relatively small with decreasing
laser pulse width. It is also found that the laser fluence significantly affects the N 3 decaying rate of Auger
recombination, the carrier temperature exhibits two peaks as a function of time due to Auger heating as well
as direct laser heating of the carriers, and finally both laser fluence and pulse width play an important role in
controlling the duration time of non-equilibrium between carrier and lattice.

목차

Abstract

1. 서론

2. 지배 방정식

3. 수치해석법 및 해석 조건

4. 결과 및 고찰

5. 결론

후기

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