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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
대한기계학회 Journal of Mechanical Science and Technology Journal of Mechanical Science and Technology Vol.21 No.11
발행연도
2007.11
수록면
1,847 - 1,854 (8page)

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This study numerically investigates the optical and heat transfer characteristics of thin silicon films irradiated by ultrashort (shorter than 10 ps) pulse train lasers. The one-dimensional two-temperature model (1DTTM) is extended to the two-dimensional (2DTTM) model for estimation of crater formation. In addition, the wave interference effects on the optical and energy transfer characteristics are considered to predict accurately the energy absorption rates in thin silicon films irradiated by picosecond-to-femtosecond pulse train lasers. Unlike bulk silicon, a significant change in energy absorption is found to occur in thin silicon films with the variation of film thickness due to the wave interference. The spatial distributions of energy carrier and lattice temperature show quite a different tendency at different pulse durations as well as the number of pulses because of significant changes in the optical and thermal properties. The predicted crater shapes and the ablation depths by 2DTTM are also presented.
#Ultrashort pulse train lasers #Wave interference #Ablation #Crater #Heat transfer

목차

Abstract
1. Introduction
2. Mathematical representation and computational details
3. Results and discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References

참고문헌 (26)

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1. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / Laser processing and chemistry google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Laser ablation of dielectrics with temporally shaped femtosecond pulses 80 : 353 ~ 355 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Ultra high repetition rate (133MHz) laser ablation of aluminum with 1:2-ps pulses : S883 ~ S886 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / Repeatable nanostructures in dielectrics by femtosecond laser pulse trains 87 : 151104 ~ 151104-3 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / Modeling the femtosecond laser pulse-train ablation of dielectrics google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-550-015999646