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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.5
- 수록면
- 1,270 - 1,275 (6page)
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Understanding of heat generation in semiconductor devices is important in the thermal management of
integrated circuits and in the analysis of the device physics. Scanning thermal microscope was used to
measure the temperature distribution on the cross-section of an operating metal-oxide-semiconductor fieldeffect
transistor (MOSFET). The temperature distributions were measured both in DC and AC modes in
order to take account of the leakage current. The measurement results showed that as the drain bias was
increased the hot spot moved to the drain.
integrated circuits and in the analysis of the device physics. Scanning thermal microscope was used to
measure the temperature distribution on the cross-section of an operating metal-oxide-semiconductor fieldeffect
transistor (MOSFET). The temperature distributions were measured both in DC and AC modes in
order to take account of the leakage current. The measurement results showed that as the drain bias was
increased the hot spot moved to the drain.
목차
Abstract
1. 서론
2. 샘플 및 실험장치
3. 측정결과 및 토의
4. 결론
참고문헌
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