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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 1995년 ICPE논문집
발행연도
1995.10
수록면
213 - 218 (6page)

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Characteristics of various power semiconductor devices, such as MOSFETs, IGBTs, SCRs and power diodes are discussed in this paper based on experimental and 2-dimen-sional device simulation results for temperature higher than liquid nitrogen(77K).

목차

ABSTRACT

1.INTRODUCTION

2.POWER MOSFETs

3.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

4.POWER DIODES

5.SCR

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