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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2003년 춘계학술대회논문집
발행연도
2003.4
수록면
1,315 - 1,320 (6page)

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The thermal expansion coefficient, which causes the micro failure at the interfacial state of thin films
is necessary to consider for proper designing MEMS. The effect of temperature on the coefficient of
thermal expansion(CTE) of SiO2 and Si3N4 film was investigated. Thermal strain induced by mismatch
of CTE between substrate and thin film continuously measured with resolution-improved electronic
speckle pattern interferometry(ESPI). The thermal stress induced by mismatch of CTE derivate through
thermal strain. The thermal expansion coefficients of thin film were calculated with the general equation
of CTE and thermal stress in thin films, and it confirmed that CTE of SiO2 changed from 0.25×10-6
/℃ to 1.4×10-6/℃ with temperature increasing from 50 to 600℃

목차

Abstract

1. 서론

2. ESPI를 이용한 열변형 측정

3. ESPI에 의한 CTE의 온도의존성 평가

4. 결론

후기

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