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The latch-up phenomena of insulated gate bipolar transistor IGBT) are numerically simulated using a two-dimensional device mulation program for various lengths of the n+-source region and arner filetimes, in order to investigate quantitatively the latch-up nmunity of the latch-up-free self-aligned IGBT which has been proposed recently by Koh and Kim. The key concept behind the iumerical simulation is that the parasitic thyristor in the two-guncnsional IGBT is equivalent to a p-i-n diode of the same geometry in a conduction state due to conductivity modulation The simulation shows that the holding current increases by a factor jf about 100 when the length of the n+-sourcc region is decreased from about 10μm to 1 μm, while the holding current is increased only by a factor of 5 when the lifetime is decreased from 100 nsec to 5 nscc These results clearly demonstrate that the latch-up supression by reducing the length of the n+-sourcc region as suggested in the proposed latch-up-frcc IGB1' is far more effective than reducing the carrier lifetime.
목차
Abstract
1.Introduction
2.Numerical Analysis Scheme
3.Simulation Results and Discussion
4.Conclusion
REFERENCES
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