IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 개발 동향

윤종만

전력전자학회지

2017 .02

Design and Process Development in High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs)

김수성

전자공학회지

2008 .07

A Latch-up Characteristics of Silicide Cathode Contact IGBT Employing Self-Aligned Pocket Implantation

김두영 ,  변대식 ,  윤종만 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Overview of Recent Progress in High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) and Its Industrial Impacts

윤종만 ,  오광훈

전자공학회지

2006 .05

Two-Dimensional Analysis of Latch-Up Phenomena in Latch-Up-Free Self-Aligned IGBT Structure

Yo-Hwan Koh ,  Choong-Ki Kim

ICPE(ISPE)논문집

1989 .05

Insulated Gate Transistor의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of the Insulated Gate Transistors )

김진형 ,  최연익

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

A Study on Parameters for Design of IGBT

노영환 ,  이상용 ,  김윤호

한국철도학회 학술발표대회논문집

2009 .05

방사능에 의한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 열화 특성

김정식 ,  김기현 ,  한진우

대한전기학회 학술대회 논문집

2020 .07

향상된 전기적 특성을 갖는 IGBT에 관한 연구

구용서

한국정보전자통신기술학회 논문지

2013 .09

Ti Self-Aligned Silicide를 이용한 Contact에서의 전기적 특성

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .02

The Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with a Trench Injector

曺永虎 ,  車承翼 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1993 .12

개선된 Latch-up 특성을 갖는 수직형 IGBT 구조 ( A New Vertical IGBT Structure with Suppressing Latch-up Charateristics )

조병섭 ,  손상희 ,  박재근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

IGBT Mesh-Topology Modeling And Its Application To Latch-Up Performance

H.Zhang ,  F.Duan

ICPE(ISPE)논문집

2001 .10

1,200 V급 Trench Gate Field Stop IGBT 소자의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구

금종민 ,  성만영 ,  정은식 외 1명

전기전자재료학회논문지

2012 .01

턴-오프 시 PT-IGBT의 애노드 전압 강하 모델링

류세환 ,  이호길 ,  안형근 외 1명

전기전자재료학회논문지

2008 .01

자기정렬된 포켓 이온 주입을 이용한 티타늄 실리사이드 캐소드 접촉을 갖는 IGBT의 래치업 특성

邊大錫 ,  金杜泳 ,  韓民九 외 1명

전기학회논문지

1997 .06

IGBT를 응용한 단상인버터의 인덕턴스 용량에 따른 연구

김민성 ,  송영득 ,  박한범 외 3명

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2012 .12

고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구

안병섭 ,  강이구 ,  정헌석 외 2명

전기전자재료학회논문지

2012 .01

낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V급 IGBTs

신사무엘 ,  손정만 ,  하가산 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2008 .06

A Novel Self-Aligned Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor using Silicide Layers

류재일 ,  김현철 ,  오재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01