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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제8호
발행연도
2004.8
수록면
717 - 725 (9page)

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MRAM(Magneto-resistive Random Access Memory)은 자성체의 스핀 방향을 정보원으로 하는 비휘발성 메모리로 magneto-resistance 물질을 정보 저장 소자로 사용한다. 본 논문에서는 MRAM 시뮬레이션시 MTJ(Magnetic Tunneling Junction)의 hysteretic 특성, asteroid 특성, R-V 특성을 HSPICE에서 재현할 수 있는 새로운 macro-model을 제안하고 HSPICE에 적용하여 그 정확도를 검증하였다. 또한 종래의 reference cell 회로에 비하여 정확한 중간 저항 값을 유치하는 새로운 reference cell 회로를 제안하고 이를 본 논문에서 제안한 macro-model을 이용하여 검증하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 본론

3. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - S. Tehrani / 1999 / Progress and Outlook for MRAM Technology 35 (5) : 2814 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - J. S. Moodera / 1995 / Large Magneto- resis -tance at Room Temperature in Ferro- magnetic Thin Film Tunnel Junctions 74 (16) : 3273 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - D. Wang / 1999 / Thermal Stability of Spin Dependent Tunneling Junctions Pinned with IrMn 35 (5) : 2886 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - J. Nickel / June1995 / Magneto-resistance Overviews google schola [학술지(정기간행물)] - B. N. Engel / 2002 / The Science and of Magneto- resistive Tunneling Memory 1 (1) : 32 ~ google schola

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