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저자정보
길규현 (한양대학교) 최준태 (한양대학교) 송윤흡 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2014년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2014.6
수록면
237 - 240 (4page)

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We proposed a novel self-reference sense amplifier scheme for spin-transfer-torque magneto-resistance random access memory by parallel write and read. The proposed sense amplifier is sensed by only two cycles of write operation, since a critical current density of a MTJ cell relate with write pulse width. We confirmed that the proposed circuit simulated using 0.18um CMOS technology in HSPICE has no error at tox variation with broad resistance distribution.

목차

Abstract
I. 서론
II. 동작 원리
Ⅲ. 제안된 Self-reference 회로
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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