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대한전자공학회 전자공학회지 전자공학회지 제32권 제2호
발행연도
2005.2
수록면
15 - 26 (12page)

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목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 차세대 메모리로서의 ReRAM

Ⅲ. ReRAM 저항 변화 원리-스위칭 메카니즘

Ⅳ. 이성분계 산화물의 ReRAM 특성

Ⅴ. 그 외 ReRAM 특성을 보이는 재료

Ⅳ. 향후 전망

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