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논문 기본 정보

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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.1
발행연도
2008.3
수록면
66 - 79 (14page)

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Several oxides have recently been reported to have resistance-switching characteristics for nonvolatile memory (NVM) applications. Both binary and ternary oxides demonstrated great potential as resistive-switching memory elements. However, the switching mechanisms have not yet been clearly understood, and the uniformity and reproducibility of devices have not been sufficient for gigabit-NVM applications. The primary requirements for oxides in memory applications are scalability, fast switching speed, good memory retention, a reasonable resistive window, and constant working voltage. In this paper, we discuss several materials that are resistive-switching elements and also focus on their switching mechanisms. We evaluated non-stoichiometric polycrystalline oxides (Nb₂O<SUB>5</SUB>, and ZrO<SUB>x</SUB>) and subsequently the resistive switching of CU<SUB>x</SUB>O and heavily Cu-doped MoO<SUB>x</SUB> film for their compatibility with modern transistor-process cycles. Single-crystalline Nb-doped SrTiO₃(NbSTO) was also investigated, and we found a Pt/single-crystal NbSTO Schottky junction had excellent memory characteristics. Epitaxial NbSTO film was grown on an Si substrate using conducting TiN as a buffer layer to introduce single-crystal NbSTO into the CMOS process and preserve its excellent electrical characteristics.
#ReRAM switching #binary and ternary oxides #oxygen vacancy #crystallinity #stoichiometry

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. RESISTIVE SWITCHING OF BIMARY OXIDES
Ⅲ. RESISTIVE SWITCHING OF CU-AND MO-BASED OXIDES
Ⅳ. RESISTIVE SWITCHING OF SINGLE CRYSTAL AND EPITAXIAL SAMPLES
Ⅴ. SUMMARY
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (24)

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1. [인터넷자원] - International Technology Roadmap for Semiconductors / / google schola 2. [학술지(정기간행물)] - S. Q. Liu / 2000 / / Appl. Phys. Lett 76 : 2749 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - A. Beck / 2000 / / Appl. Phys. Lett 77 : 139 ~ google schola 4. [기타자료] - W. W. Zhuang / 2002 / IEDM Tech. Dig. : 193 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - A. Baikalov / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 957 ~ google schola

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