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논문 기본 정보

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저널정보
Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.1 No.4
발행연도
1996.12
수록면
103 - 107 (5page)

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Package level electromigration(EM) test of Al-Si-Cu/TiN film has been done in low and high range of resistance-increase. The electromigration result was analyzed in terms of grain-size and interface of layered metal film. The Al-Si-Cu/TiN film was found to have shorter lifetime than Al-Si-Cu monolayer film in low resistance-increase. On the other hand, in high resistance-increase, the Al-Si-Cu monolayer film shows shorter lifetime than the Al-Si-Cu/TiN film, which is attributed to a compound material in the boundary of Al alloy and TiN layer. Lifetimes of Al-Cu and Al-Si-Cu films at room temperature were deduced through the activation energy obtained from the temperature dependence of metal-failure-time.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimental

Ⅲ. Result and Discussion

Ⅳ. Conclusions

References

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