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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.3
- 발행연도
- 1998.6
- 수록면
- 391 - 395 (5page)
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The impact of LDD structure on the single-poly EEPROMs is investigated in this paper. The single-poly EEPROMs are fabricated using the 0.8㎛ CMOS ASIC process. The single-poly EEPROMs with LDD structure have slower program and erase speeds, but the drain and gate stresses and the endurance characteristics of these devices are much better than those of the single-poly EEPROMs with single-drain structure. The single-poly EEPROMs with LDD structure do not require the process modifications and need no additional masks, hence can be used for microprocessors and logic circuits with low-density and low-cost embedded EEPROMs.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Cell Structure And Device Fabrication
Ⅲ. Results and Discussions
Ⅳ. Summary
Acknowledgment
References
저자소개
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