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신윤수 (충북대학교) 나기열 (충북대학교) 최홍규 (충북대학교) 이광규 (충북대학교) 김성준 (충북대학교) 김영식 (충북대학교) 김영석 (충북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년도 추계학술대회 논문집Ⅱ
발행연도
2006.11
수록면
550 - 553 (4page)

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In this paper, in order to supply program and erase voltages for embedded EEPROM, charge-pump circuit with output voltage of the maximum 10 V is proposed based on a 0.25 ㎛ standard CMOS logic process. To gain reliability for generated high voltage when charge-pump operates, high-voltage n-channel LDMOST device is developed and applied to charge-pump circuit. As a result of measurements, the fabricated high-voltage n-channel LDMOST device operation voltage is over 10 V and charge-pump exhibits output voltage range from 6.8 to 10 V for control voltage (V<SUB>ctrl</SUB>) sweeps from 0 to 1.5 V.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 칩 제작 및 측정결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

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