메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
In the present work, a new attempt was made to develop comparatively high voltage and optically-activated gold-compensated silicon p-i-n diodes with a V-groove structure. The devices exhibited a switching voltage up to 600 V, with switching current less than 100 μ A. They also showed full control of switching characteristic with a low optical power. The switching voltage, the turn-on delay time. and the turn-on rise time were measured as a function of optical power level, bias, and pulse width. The measured switching voltage decreased rapidly when the illumination level was increased. The turn-on characteristics showed a strong dependence on an optical pulse power, but a weaker dependence on the width of optical pulse. The turn-off delay was negligible and the fall time was less than 0.03 μs.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimental

Ⅲ. Static Characteristics of Optical Switching

Ⅳ. Optical Transient Switching Characteristics

Ⅴ. Conclusions

References

저자소개

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-017766446