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CBE growth and doping of InP and InGaAs lattice - matched to InP for high - speed electronic device application
한국진공학회 학술발표회초록집
1997 .02
Electrical characterization of InP/InGaAs/InP infra-red photodetector
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .02
Growth of InP, InGaAs 55um-long nanowires
한국진공학회 학술발표회초록집
2014 .08
성장정지효과에 의한 InGaAs / InP 양자우물구조의 Photoluminescence 특성 변화
Applied Science and Convergence Technology
1998 .05
Fabrication of InP/InGaAs/InP distributed feedback grating structure and its effect on the formation of InAs/InAlGaAs quantum dot
한국진공학회 학술발표회초록집
2006 .02
Characteristics of InGaP/InGaAs pseudomophic field-effect transistors with modulated InGaAs doping channels
한국진공학회 학술발표회초록집
2016 .08
응력 차이에 의한 InAs / InGaAs / InP 양자점의 얇은 덮개층의 형상 변화
한국진공학회 학술발표회초록집
2003 .08
InP/InGaAs 기반 APD에서 항복전압과 전류이득의 특성에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
MBE에 의한 InGaAs / InAlAs / InP 격자정합 에피택셜층 성장연구
한국진공학회 학술발표회초록집
1995 .02
화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장
Applied Science and Convergence Technology
2009 .11
Dependences of mobility on In composition and δ - doping concentration in InP based P - HEMT channel layer.
한국진공학회 학술발표회초록집
1996 .06
The measurement of In composition in InGaAs / InAlAs / InP P - HEMT structure grown by MBE
한국진공학회 학술발표회초록집
1996 .02
1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성
Applied Science and Convergence Technology
2006 .09
High-performance type-converted WSe₂/h-BN photodetector enhanced by triphenylphosphine (PPh3)-based n-type doping
한국진공학회 학술발표회초록집
2016 .08
Raman Study of Individual InGaAs Nanowires
한국진공학회 학술발표회초록집
2012 .08
수직형 반응기를 이용한 InP / GaAs, InGaAs / GaAs 기판퓨젼
한국진공학회 학술발표회초록집
1998 .07
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