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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.6
- 수록면
- 43 - 54 (12page)
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We prepared and characterized Cu(In_1-xGa_x)Se₂(CIGS) films using a elemental co-evaporation method for absorbing layer of high efficiency thin film solar cells. The CIGS films deposited on a soda-lime glass exhibited low resistivity because of higher carrier concentration. Na was accumulated at the CIGS surface and the 0 and Se were also accumulated at the surface, suggesting that oxidation is a driving force of Na accumulation. The structure of CIGS film was modified or a secondary phase was formed in the Cu-poor CIGS bulk films probably due to the incorporation of Na into Cu vacancy sites. As the Ga/(In+Ga) ratio increased, the diffraction peaks of CU_0.91(In_1-xGa_x)Se₂films were shifted to larger angle and splitted, and the grain size of Cu_0.91(In_1-xGa_x)Se₂films became smaller. All CU_0.91(In_1-xGa_x)Se₂films showed the p-type conductivity regardless of the Ga/(In+Ga) ratio. Ag/n-ZnO/i-ZnO/CdS/CU_0.91(ln_0.7Ga_0.3)Se₂/MO solar cells were fabricated. The currently best efficiency in this study was 14.48% for 0.18cm²area (V_oc=581.5 mV, J_sc=34.88 mA, F.F=0.714).
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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