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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.9
- 수록면
- 62 - 78 (17page)
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본 논문은 二가열원 진공증착법을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 온도를 190〔℃〕로 유지한 상태에서 ITO 박막을 증착, 열처리한 후 ITO_(n)/Si_(p) 태양전지를 제작하였고 그의 전기적 특성을 조사하였다. In₂O₃와 S_nO₂의 증착비율이 각각 91〔mole %〕, 9〔mole %〕 일때 최대효율 11〔%〕의 태양전지를 제작 할 수 있었다. 제작된 전지는 열처리 시간과 온도에 따라 성능이 향상되지만 약 600〔℃〕 이상의 온도, 15분 이상의 열처리 시간에서는 오히려 박막의 각종 결함의 증가로 인한 감소현상을 보였다. 제작한 전지의 광 응답 특성을 조사하였는데 열처리온도를 증가시킴에 따라 미소하나마 장파장 영역으로 그 peak값이 이동함을 알 수 있었다. X선 회절현상을 통해 열처리온도에 따른 결정성장이 증대하여 단결정 쪽으로 이동해 감을 확인할 수 있었다. 본 실험엣 제작한 ITO_(n)/Si_(p) 태양전지에 대하여 특성을 조사한 바 다음과 같은 결과를 얻었다.
100〔mA/㎠〕의 태양광 에너지 조사하에서
단락전류 : ISC = 31〔mA/㎠〕
개방전압 : VOC = 460〔mV〕
충실도 : FF = 0.71
변환효율 : η= 11〔%〕
100〔mA/㎠〕의 태양광 에너지 조사하에서
단락전류 : ISC = 31〔mA/㎠〕
개방전압 : VOC = 460〔mV〕
충실도 : FF = 0.71
변환효율 : η= 11〔%〕
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법 및 측정
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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