태양 전지용 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 태양 전지로의 응용

이상열; 홍광준

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이상열 홍광준

저널정보: 한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 한국태양에너지학회 논문집 제25권 제4호

발행연도: 2005.12

수록면: 1 - 11 (11page)

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The stoichiometric mixture of evaporating materials for the CuInSe₂ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal CuInSe₂, it was found tetragonal structure whose lattice constant a_0 and c_0 were 5.783 Å and 11.621 Å, respectively. To obtain the CuInSe₂ single crystal thin film, CuInSe₂ mixed crystal was deposited on throughly etched GaAs(100) by the HWE(Hot Wall Epitaxy) system. The source and substrate temperature were 620 ℃ and 410 ℃ respectively. The crystalline structure of CuInSe₂ single crystal thin film was investigated by the double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of Van der Pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data. the mobility was likely to be decreased by impurity scattering in the temperature range 30 K to 100 K and by lattice scattering in the temperature range 100 K to 293 K. The temperature dependence of the energy band gap of the CuInSe₂ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T)=1.1851 eV-(8.99×10-⁴ eV/K)T²/(T+153 K). The open-circuit voltage. short current density, fill factor, and conversion efficiency of n-CdS/p-CuGaSe₂ heterojunction solar cells under 80 ㎽/㎠ illumination were found to be 0.51V, 29.3 ㎃/㎠, 0.76 and 14.3 %, respectively.

참고문헌 (16)

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, 1975. , Analysis of the electrical and luminescent properties of CuInSe2 146 (4) : 1777 ~ 1782

, 1983. , Luminescence and impurity states in CuInSe2 16 : 1369 ~ 1376

, 1978. , Infrared lattice vibration spectra of CuInSe2 28 : 449 ~ 454

, 1981 , Temperature dependence of tetragonal distortion and thermal expension of copper indium senenide 14 : 1311 ~ 1316

, 1986 , Growth by Bridgman-Stockbarger of and diffusion homojunction in bulk material 16 : 27 ~ 41

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