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단일모드 광섬유를 부착한 고속 광통신용 PIN-전치증폭기 모듈을 GaInAs PIN 광검출기와 GaAs 전치증폭기를 하이브리드로 집적하여 제작하였다. PIN 광검출기의 정전용량은 0.35 pF이었으며 이 소자의 수광직경은 20 ㎛였다. 제작된 수광모듈의 -3 dB 차단주파수는 2 ㎓ 이상이었으며, 2.5 Gbps NRZ (PRBS=2²³-1) 입력광신호에 대해 비트오율이 10^(-9)일 때 ~25.2 dBm의 수신감도를 보였다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 수광소자 변수가 수신감도에 미치는 영향
Ⅲ. 수광모듈 제작
Ⅳ. 특성 측정 및 논의
Ⅴ. 결론
감사의 글
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v5n2p333