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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1996.11
- 수록면
- 47 - 52 (6page)
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We have studied the fabrication of amorphous silicon p-i-n solar cell using ion shower doped n+ layer. The p-i-n cell using ion doped n-layer exhibited open circuit voltage of ＞0.8V, fill factor of ＞0.62 and conversion efficiency of ＞8.4%, when the ion acceleration voltage is between 3 and 7㎸. The fabricated a-Si:H p-i-n solar cell exhibited open circuit voltage of 0.84V, fill factor of 0.66 and conversion efficiency of 9.9%. Ion shower doping technique, therefore, can be applied to fabricate large area, high performance of a-Si:H p-i-n solar cells.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 논의
4. 결론
참고문헌
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