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We have studied the fabrication of amorphous silicon p-i-n solar cell using ion shower doped n+ layer. The p-i-n cell using ion doped n-layer exhibited open circuit voltage of >0.8V, fill factor of >0.62 and conversion efficiency of >8.4%, when the ion acceleration voltage is between 3 and 7㎸. The fabricated a-Si:H p-i-n solar cell exhibited open circuit voltage of 0.84V, fill factor of 0.66 and conversion efficiency of 9.9%. Ion shower doping technique, therefore, can be applied to fabricate large area, high performance of a-Si:H p-i-n solar cells.

목차

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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