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유리를 기판으로 하는 superstrate pin 비정질 실리콘 태양전진에서 전면 투명전도막(TCO)과 p-층의 계면은 태양전지 변환효율에 큰 영향을 미친다. 면투명전도막(TCO)으로 현재 일반적으로 사용되는 ZnO:Al는 SnO₂:F보다 전기, 광학적으로 우수하고, 안개율 (Haze)높으며, 수소 플라즈마에서 안정성이 높은 특징을 갖고 있다. 그래서 박막 태양전지의 특성향상에 매우 유리하나, 태양전지로 제조했을 때, SnO₂보다 충진율(Fill Factor:F.F)과 V_{oc}가 감소한다는 단점을 가지고 있다. 본 실험실에서는 SnO₂:Fdml F.F.가 72%이 나온 반면 ZnO:Al의 F.F은 68%에 그쳤다. 이들 원인을 분석하기 위해 TCO/p-layer의 전기적 특성을 알아 본 결과, SnO₂:F보다 ZnO:Al의 직렬저항이 높게 측정되었다. 이러한 결과를 바탕으로 p-layer에 R=(H₂/SiH₄)=25로 변화, p {mu}c-Si:H/p a-SiC:H로 p-layer 이중 증착, p-layer의 boron doping 농도를 증가시키는 실험을 하였다. 직렬저항이 가장 낮았던 p {mu}c-Si:H/p a-SiC:H 인 p-layer 이중 증착에서 V_{oc}는 0.95V F.F는 70%이상이 나왔다. 이들 각 p층의 E_a(Activiation Energy)를 구해본 결과, {mu}c-Si:H의 Ea 가 가장 낮은 것을 관찰 할 수 있었다.
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