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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.10
- 수록면
- 501 - 510 (10page)
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This paper briefly introduces silicon based thin film solar cells: amorphous (a-Si:H), microcrystalline (μc-Si:H)single junction and a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells. The major difference of a-Si:H and μc-Si:H cells comes from electro-optical properties of intrinsic Si-films (active layer) that absorb incident photon and generate electron-hole pairs. The a-Si:H film has energy band-gap (Eg) of 1.7-1.8eV and solar cells incorporating this wide Eg a-Si:H material as active layer commonly give high voltage and low current, when illuminated, compared to μc-Si:H solar cells that employ low Eg (l.leV) material. This Eg difference of two materials make possible tandem configuration in order to effectively use incident photon energy. The a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells, therefore, have a great potential for low cost photovoltaic device by its various advantages such as low material cost by thin film structure on low cost substrate instead of expensive c-Si wafer and high conversion efficiency by tandem structure. In this paper the structure, process and operation properties of Si-based thin film solar cells will be discussed.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Solar Cells Structure and Process
3. Results and Discussions
4. Conclusion
References
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