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한국신재생에너지학회 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
발행연도
2005.6
수록면
196 - 200 (5page)

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In this work, we investigated simple Aㅣ/TCO/a-Si:H(n)/c-Si(p)/Al hetero-junction solar cells prepared by low temperature processes, unlike conventional thermal diffused c-Si solar cells. a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells are processed by low temperature deposition of n-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition on textured and flat p-type silicon substrate. A detailed investigation was carried out to acquire optimization and compatibility of amorphous layer, TCO (ZnO:Al) layer depositions by changing the plasma process parameters. As front TCO and back contact, ZnO:Al and AI were deposited by rf magnetron sputtering and e-beam evaporation, respectively. The photovoltaic conversion efficiency under AMI.5 and the quantum efficiency on 1cm² sample have been reported. An efficiency of 12.5% is achieved on hetero-structure solar cells based on p-type crystalline silicon.
#이종 접합 #단결정 실리콘 #Hetero-structure #c-Si

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