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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2004 Proceedings ISEA Asia-Pacific
발행연도
2004.10
수록면
511 - 519 (9page)

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In this work, we investigated the surface passivation properties of SiO₂ by RTO (Rapid thermal oxidation) and CTO (classical thermal oxidation) and SiNx deposited with the PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) in combination for phosphorus diffused emitter and undiffused back surface. Furthermore, we also studied the effects of double stack layers combined with varied Si0₂ and SiNx. The passivation schemes investigated in this study include: CTO, RTO, SiNl, SiN2, CTO/SiNl, CTO/SiN2, RTO/SiNl, and RTO/SiN2. On the surface of 1 Ω-cm p-type FZ (Float zone) silicon without emitter, SiN2 is increased to over 800 ㎲ and RTO/SiN2 and CTO/SiN2 stack layers show an excellent lifetime of about 900 ㎲ and 1400 ㎲. On the 100 Ω/口 emitter, two SiO₂ layers can passivate better than SiNx layers. The stacks layers passivate also good on the emitter. Finally, the RTO/SiNx stack layers are used to passivate front and rear surfaces of the solar cells. The planar RTO/SiNx cell has a very high Voc of 675.6 mY. However, the Jsc and FF of the RTO/SiNx cells are lower than those of CTO cells. The main reasons of Jsc and FF losses are also discussed.

목차

Abstract

Introduction

Experiment

Results and Discussions

Conclusion

References

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