전력 증폭기의 메모리 효과 모델링을 위한 메모리 다항식을 이용한 향상된 Three-Box 모델

구현철; 이강윤; 허정

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자료유형: 학술저널

저자정보: 구현철 이강윤 허정

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제17권 제5호

발행연도: 2006.5

수록면: 408 - 415 (8page)

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본 논문에서는 RF 전력 증폭기의 메모리 효과를 모델링하기 위한 향상된 시스템 레벨의 모델을 제안하고, 사전 왜곡 선형화기를 적용한 전력 증폭기의 출력 신호의 스펙트럼 밀도를 분석하여 제안한 모델을 검증하였다. 기존의 Three-Box(Wiener-Hammerstein) 모델은 전력 증폭기의 RF 주파수 특성을 입출력 선형 필터를 사용하여 모델링한 것으로, Hammerstein 구조의 사전 왜곡 선형화기를 사용하면 이론적으로 인접 채널 간섭을 모두 제거할 수 있다. 그러나, 실제 전력 증폭기의 경우 RF 주파수 특성 외의 메모리 현상에 의해 주파수 특성만을 보정한 Hammerstein 사전 왜곡기에 의한 인접 채널 간섭비의 향상 정도가 제한적이다. 이러한 출력 스펙트럼 특성은 Three-Box 모델의 메모리 성분을 가지지 않는 비선형 블록을 메모리 다항식으로 바꾸어 준 모델을 사용하여 정확히 예측될 수 있다. IEEE 802.11 g 무선 랜 전력 증폭기에 Hammerstein 구조의 사전 왜곡이 적용된 경우 측정된 인접 채널 스펙트럼 밀도값을 제안된 모델은 ±30 ㎒의 인접 채널 범위에서 2 ㏈ 이하의 오차로 예측하였다.

#Hammerstein #Memory Effects #Memory Polynomial #Three-Box #Predistortion #Power Amplifier

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, 2002 , Power amplifiers and transmitters for RF and microwave 50 (3) : 814 ~ 826

, 2000. , High-linearity RF Amplifier Design

, 2002. , Advanced Techniques in RF Power Amplifier Design

, 2003 , Practical limitations of predistortion linearization systems for RF power amplifiers

, 2000 , New behavioral-level simulation technique for RF, microwave applications. 10 : 221 ~ 237

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