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한국조명·전기설비학회 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 한국조명·전기설비학회 1997년도추계 학술발표회논문집
발행연도
1997.11
수록면
21 - 24 (4page)

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고주파 유도결합 플라즈마(RFICP)에서의 전자온도와 전자밀도를 Double probe측정법에 의해서 계측하였다. 사용가스는 아르곤가스를 사용하였으며 동작압력은 30[mTorr]에서 60 [mTorr]로 하였고, 입력파워는 50[W]에서 200[W], 아르곤 가스유량은 3[sccm]에서 12[sccm]으로 하였다. 전자온도와 전자밀도의 반경방향의 공간분포는 아스펙트비(R/L)를 1로 하여 측정하였다. 전자온도는 입력파워에 대해서는 특별한 의존성이 없었으나 압력과 아르곤 가스유량에 대해서는 의존성이 있는 것으로 나타났다. 전자온도는 입력파워를 증가해도 거의 일정했고, 압력을 증가했을 때는 감소하였고, 아르곤 가스유량을 증가하면 저유량에서 전자온도는 저하하려는 경향이 있으나 유량이 증가할수록 변화는 거의 차이가 없는 것으로 볼 수 있다. 전자밀도는 입력파워와 압력, 아르곤 가스유량에 대해서 모두 의존성을 가지는 것으로 나타났다. 전자밀도는 입력파워를 증가할수록 증가하였고 압력에 대해서는 거의 일정했고, 아르곤 가스유량에 대해서는 증가하는 것을 나타내었다. 반경방향의 공간분포 측정에서는 전자온도는 플라즈마 중심부에서 주변부로 갈수록 조금씩 상승하는 것을 볼 수 있으며 전자밀도는 플라즈마 중심부에서 가장 높은 밀도를 가지는 것으로 나타났다. 이러한 결과로부터 고주파 유도결합 플라즈마(RFICP)에서의 생성유지기구 등의 파악에 도움을 줄 수 있었다.

목차

요약
1. 서론
2. 실험장치 및 측정방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
[참고문헌]

참고문헌 (0)

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