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논문 기본 정보

자료유형
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한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제16권 제2호
발행연도
2006.4
수록면
25 - 30 (6page)

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강자성체/비자성 금속/강자성체/반도체 구조에서 층간교환상호작용(interlayer exchange coupling) 에너지가 외부 인가전압으로 제어 가능함을 이론적으로 보였다. 비자성 금속층으로 격리된 두 강자성층 사이의 층간교환상호작용 에너지는 강자성체/비자성 금속 계면에서 전자의 스핀에 의존하는 반사율의 차이에 의해 결정된다는 것은 잘 알려진 사실인데, 이를 강자성체/비자성 금속/강자성체/반도체 구조에 적용하여 층간교환상호작용 에너지가 강자성체/비자성 금속/강자성체 계면에서 전자의 반사율뿐 아니라 강자성체/반도체 계면에서의 반사율에도 의존한다는 것을 보였다. 강자성체/반도체 계면에 생기는 Schottky 장벽의 높이와 두께는 인가전압으로 바꿀 수 있고, 그에 따른 전자의 반사율이 인가전압에 의해 바뀔 수 있음을 알 수 있었다. 결과적으로 일차원 자유전자 모델을 사용하여 외부 인가 전압으로써 두 강자성체 사이의 층간 교환 상호작용 에너지를 제어할 수 있다는 것을 확인하였다.
#쇼트키 장벽 #층간교환결합 #스핀트로닉스 #자화역전 #schottky barrier #interlayer exchange coupling #spintronics #magnetic switching

목차

한국어 초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 4층막 구조에서의 자유전자 모델
Ⅲ. 4층막 구조에서의 층간교환상호작용의 전압의존
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
영어 초록

참고문헌 (3)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - S. M. Sze / 1981 / Physics of semiconductor devices google schola [학술지(정기간행물)] - D. A. Papaconstantopoulos / 1986 / Handbook of the band structure of elemental solids google schola [학술지(정기간행물)] - / 2001 / Japan Patent P2001-19661A google schola

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