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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.3
발행연도
2006.9
수록면
206 - 209 (4page)

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This paper presents an analytical noise model for the drain thermal noise, the induced gate noise, and their correlation coefficient in deepsubmicron MOSFETs, which is valid in both linear region and saturation region. The impedance field method was used to calculate the external drain thermal noise current. The effect of channel length modulation was included in the analytical equation. The noise behavior of MOSFETs with decreasing channel length was successfully predicted from our model.
#Terms—RF CMOS #drain thermal noise #induced gate noise #velocity saturation effect #impedance field method

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. ANALYTICAL MODEL OF THERMAL NOISE OF MOSFETS
Ⅲ. EXPERIMEMTAL RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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Jongwook Jeon ,  Byung-Gook Pa ,  k 외 2명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2007 .06

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-017391934