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Analytical Noise Parameter Model of Short-Channel RF MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2007 .06
Analytical Thermal Noise Model of Deep-submicron MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .09
A New MOSFET Design Concept Using Recessed Channel Structure for Deep Submicron Application
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Deep Submicron PMOSFET의 Scaling 방법 ( Scaling Methodology of Deep Submicron P-MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
Deep submicron PMOSFET의 Scaling 방법
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
Investigation of Thermal Noise Factor in Nanoscale MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2010 .09
Hydrodynamic model을 이용한 Submicron MOSFET의 Simulation ( Simulation of Submicron MOSFET Using Hydrodynamic Model )
전자공학회논문지-A
1993 .11
RF Frequency 에서의 MOSFET Modeling ( RF Frequency MOSFET Modeling )
대한전자공학회 학술대회
1998 .05
단채널 MOSFET의 열잡음모델링을 위한 잡음 파라메터의 분석과 추출방법
한국정보통신학회논문지
2009 .12
Short-Channel MOSFET의 해석적 모델링 ( Analytical Modeling for the short-channel MOSFET )
한국통신학회논문지
1992 .11
MOSFET 의 RF소신호 모델링 ( RF Small Signal Modeling of MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1998 .10
MOSFET의 RF 소신호 모델링 ( RF Small Signal Modeling of MOSFET )
한국통신학회 학술대회논문집
1998 .01
A New Substrate Resistance Model of RF MOSFETs
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
전자공학회논문지-SD
2004 .12
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THRESHOLD VOLTAGE FOR SUBMICRON P-AND N-CHANNEL LDD MOSFET DEVICES
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
1993 .08
Effect of Substrate Digital Noise Coupling on the Microwave Noise Performance of RF MOSFETs
대한전자공학회 워크샵
2008 .09
A New Extraction Method of Small-Signal Parameters of MOSFETs for RF Modeling
Journal of Electrical Engineering and information Science
2000 .06
RF MOSFET의 기판 회로망 모델과 파라미터 추출방법
한국산업정보학회논문지
2002 .12
Temperature Dependence of Threshold Voltage for Submicron P- and N- Channel LDD MOSFET Devices
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1993 .01
DEEP SUBMICRON CMOS TECHNOLOGY AND DESIGN CHALLENGES
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
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