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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2006년도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2006.6
수록면
2,307 - 2,312 (6page)

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Nanoscale thermoelectric power measurement plays a key role in the development of nano-structured high ZT thermoelectric materials and in dopant density profiling of nano-electronic devices. In this study we developed a new AC type nanoscale thermoelectric power measurement technique using diamond probe and experimentally demonstrated its effectiveness. Diamond probe was essential to withstand the high contact stress required to achieve stable electric contact with silicon, which is the material of choice for the semiconductor industry. We developed AC type measurement technique to avoid the interference of built-in potential and photo-ionization at a p-n junction. The measured thermoelectric voltage was consistent with the theoretical value.
#Thermoelectric Power(열전전압) #Thermoelectric Coefficient(열전계수) #Dopant Density Profiling(불순물농도분포)

목차

Abstract
1. 서론
2. 측정 원리
3. 실험 결과
4. 측정 결과 분석
5. 결론
후기
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-550-016799964