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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 창립 60주년 기념 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2005.11
수록면
268 - 273 (6page)

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Nanoscale thermoelectric coefficient measurement has two important applications. First, it is necessary in the development of nano-structured thermoelectric materials that are known to have high ZT. Second, it can be used in the analysis of nano electronic devices, because of the close relationship between Seebeck coefficient and dopant density. Although recently developed technique, SThEM shows nanoscale resolution, it is not suitable for silicon which is the material of choice in semiconductor industry. In this study we are developing new technique utilizing diamond coated probe which is suitable for silicon. The D.C measurement results indicate that a new technique that can isolate thermoelectric voltage from built-in potential and photo-ionization is needed. Presently, A.C measurement technique that can directly measure thermoelectric voltage without the interference of built-in potential and photoionization is being developed.
#Thermoelectric Coefficient(열전계수) #Scanning Probe Microscope(주사탐침현미경)

목차

Abstract
1. 서론
2. 측정 원리
3. 다이아몬드 탐침의 열전계수 측정
4. Si p-n 접합 시편의 열전계수 측정
5. 결론
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