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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第45卷 第4號
발행연도
2008.4
수록면
131 - 136 (6page)

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0.18-㎛ CMOS공정을 이용하여 근거리 무선통신(22-29 ㎓)에서 응용할 수 있는 전력증폭기를 설계하였다. 전도성 기판에 의한 손실을 줄이기 위해서 기판 차폐된 두 가지 형태의 전송선로를 설계하고, 40 ㎓ 까지 측정 및 모델링하였다. 기판차폐 microstrip line (MSL) 전송선로의 경우 27 ㎓에서 약 0.5 ㏈/㎜의 삽입손실을 나타내었다. 기판 차폐 MSL 구조를 이용한 전력증폭기는 0.83 ㎟의 비교적 작은 면적을 차지하면서도 27 ㎓에서 14.7 ㏈의 소신호 이득과 14.5 ㏈m의 출력을 나타내었다. 기판 차폐 coplanar waveguide (CPW) 전송선로의 경우 27 ㎓에서 약 1.0 ㏈/㎜의 삽입손실을 나타내었으며, 이를 이용한 전력증폭기는 26.5 ㎓에서 12 ㏈의 소신호 이득과 12.5 ㏈m의 출력을 나타내었다. 본 논문의 결과는 0.18-㎛ CMOS공정을 이용한 저가격의 근거리 무선통신 시스템을 구현할 수 있는 가능성을 제시한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전송 선로 구조 및 설계
Ⅲ. 전력증폭기 설계
Ⅳ. 전력증폭기 측정 결과
Ⅴ. 결론
감사의 글
참고문헌
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참고문헌 (8)

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