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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제38권 제4호
발행연도
2005.8
수록면
174 - 178 (5page)

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Chemical vapor deposition technique has been used to grow epitaxial SiC thin films on Si wafers using tetramethylsilane(TMS) precursor. The films were observed to grow along (110) direction of 3C-SiC at 800℃. The quality of the films was significantly influenced by the TMS flow rate and growth temperature. Nanocrystal SiC films were grown at flow rates of TMS 10 seem with H₂ carrier gas of 100 seem. The temperature and gas pressure in the reactor have a great influence on the crystallinity and morphology of the SiC film grown. The growth mechanism of the SiC film on the Si substrate without the carbonization process was discussed based on the experimental results.
#Nanocrystalline film #Silicon carbide #SiC #LPCVD #TMS

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
, 1974neuauflage , Analysis of Silicones Wiley google schola

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