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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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헬리콘 플라즈마 원을 이용한 우주 추진체의 특성
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2005 .11
헬리콘 플라즈마를 이용한 고선택 산화막 식각 ( A High Selectivity Oxide Etching with a Helicon Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
헬리콘 플라즈마 물성특성 및 식각응용에 관한 연구
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1993 .11
Helicon wave에 의하여 여기된 Ar 플라즈마 특성
한국표면공학회지
1994 .12
와이어ㆍ이온ㆍ플라즈마원의 방전 특성
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1997 .07
헬리콘 플라즈마 CVD법에 의한 다이아몬드 박막의 특성
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1999 .05
Helicon Wave 플라즈마 보조 증발법을 이용한 ZnO 박막의 성장과 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
와이어ㆍ이온ㆍ플라즈마원의 방전현상에 관한 수치적 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
고선택비 산화막 식각공정시 C₄F₈ 헬리콘 웨이브 플라즈마에 노출된 실리콘 표면의 잔류막 관찰
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1999 .04
Helicon 고밀도 플라즈마를 이용한 0.5mm 이하의 텅스텐 식각 공정 연구 ( Helicon High Density Plasma Etching for Sub-Half Micron Tungsten Interconnections )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
Helicon Wave Plasma 보조 증발법을 이용한 ZnO/si(111) 박막의 성장과 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
플라즈마 소스 이온주입용 플라즈마원의 이온 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
On the mechanism of power distribution in multiple ICP and Helicon sources
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
고밀도 유도결합 플라즈마원 유체 수송 시뮬레이션을 위한 모델 및 수치해석 방법 비교
전기학회논문지 C
2004 .08
SNU안테나에 의한 헬리콘 플라즈마의 SiO2 식각 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
300 ㎜ 웨이퍼용 식각 장비에서 병렬 안테나 플라즈마원의 균일도 평가
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2010 .11
W Etching for Sub-half Micron using the Helicon High Density Plasma
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Carbon Nanotube Deposition using Helicon Plasma CVD at Low Temperature
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2003 .01
C₄F₈/H₂ helicon wave 플라즈마를 이용한 contact 산화막 식각 공정시 과식각된 실리콘 표면의 잔류막과 손상층 형성 및 이의 제거에 관한 연구
한국표면공학회지
1998 .04
[특집:반도체 제조장비용 전력변환기술] 반도체 공정용 플라즈마원
전력전자학회지
2002 .02
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