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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.4
발행연도
2008.12
수록면
326 - 332 (7page)

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In this work CdS films were prepared by using chemical bath deposition, which is simple and inexpensive technique suitable for large deposition area. Annealing in air at different temperatures (300, 350, 400, 450 and 500 ℃) at constant time of 30 min, also for different times (15, 30, 45, 60 and 90 min) at constant temperature (300 ℃) is achieved. X-Ray analysis has confirmed the formation of cadmium oxide (CdO) with slight increase in grain size, shift towards lower scattering angle due to relaxation in the tensile strain for deposition films, and structure change from cubic and hexagonal to the hexagonal. From electrical properties, significant increase in electrical conductivity appeared in samples annealed at 300 ℃ for 60 min, and at 350 ℃ for 30 min.
#Cadmium sulfide #chemical bath deposition #CdS films #thermal annealing

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL WORK
Ⅲ. MEASUREMENTS
Ⅳ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (15)

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1. [학술지(정기간행물)] - P.K. Nair / 1987 / / Solar Cells 22 : 103 ~ 112 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - W.J. Danaher / 1985 / / Solar Energy Materials 12 : 137 ~ 148 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - I. Kaur / 1980 / / J. Electrochem. Soc 127 (4) : 943 ~ 948 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - A.E. Rakhani / 2001 / / J. Appl. Phys A73 : 631 ~ 636 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - E.I.Ugwu / 2006 / Optical Properties of Iron Halide (FeCl2) Thin Film Deposited Using Solution Growth Technique (SGT) / Pacific J. Sci. Technol 7 (2) : 97 ~ 102 google schola

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