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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제19권 제1호
발행연도
2009.2
수록면
35 - 42 (8page)

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차세대 메모리 소자 중 MRAM(Magnetic Random Access Memory)은 자기저항효과를 이용한 비휘발성 메모리로 기존 메모리를 대체할 것으로 주목을 받고 있다. MRAM은 자기터널 접합 소자를 이용해 구동할 수 있는데, 현재 고집적, 저 전력 소모 등의 장점을 극대화하기 위해 수직자화 특성을 갖는 자기터널 접합 개발과 스핀전달토크를 이용해 구동하는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-MRAM) 개발이 활발히 이루어지고 있다. 따라서 미국, 일본 등 MRAM 강국에서 고집적, 스위칭 전류 감소, 열적 안정성 등의 문제를 해결하기 위한 기술 특허 출원이 증가하고 있으며, 국내의 MRAM 연구기관에서의 특허 출원도 꾸준히 이루어지고 있다. 본고에서는 기존 국내외 특허 출원 및 등록 경향을 분석하고 향후 MRAM 개발방향을 제시하였다.
#MRAM #자기터널접합 #특허 동향 #MTJs #patent trend

목차

Ⅰ. MRAM 기술 특징 및 개발 현안
Ⅱ. MRAM 특허의 정량적 분석
Ⅲ. MRAM 기술개발 추진방향과 핵심특허 확보를 위한 특허전략
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (5)

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1. [학술지(정기간행물)] - 김영근 / 2007 / / 물리학과 첨단기술 16 : 28 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - G. Grynkewich / 2004 / / MRS Bulletin 29 : 818 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - 김영근 / 2006 / 자기터널접합을 활용한 고집적 MRAM 소자 기술 / 한국자기학회지 16 (3) : 186 ~ 191 dbpia 4. [기타자료] - NanoMarket / 2005 / Magnetic Memory: An analysis and forecast of the market for MRAM / NanoMarket google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 이경진 / 2007 / / 물리학과 첨단기술 16 : 15 ~ google schola

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