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Ⅰ. MRAM 기술 특징 및 개발 현안
Ⅱ. STT 자화반전전류 저감기술
Ⅲ. 결론
감사의 글
참고문헌
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STT-MRAM 연구 및 개발동향
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차세대 자기저항메모리 MRAM 기술의 특허동향 분석
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2009 .02
전류 펄스에 의한 MRAM 셀의 자화반전 특성에 관한 연구
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2005 .06
MRAM의 기술 및 연구동향
한국자기학회지
2003 .04
고 Gb/Chip을 위한 Pole이 추가된 MRAM의 최적 설계에 관한 연구
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2008 .06
High Performance MRAM
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2005 .12
Etching of MTJ (Magnetic Tunnel Junction) in an ICP Etching System for STT-MRAM applications
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
고집적 MRAM 개발을 위한 요소기술
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2003 .06
MTJ based MRAM Core Cell
Journal of Magnetics
2002 .09
Switching Issues for High Density MRAM
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2005 .12
자기교환결합 터널 접합을 이용한 MRAM 동작 특성
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2000 .05
Technology Issues for Conventional MRAM
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2009 .08
Fabrication and Characterization of Sub-100㎚ Magnetic Tunnel Junctions for High-Density Spin Transfer Torque MRAM
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2008 .12
자기터널접합을 활용한 고집적 MRAM 소자 기술
한국자기학회지
2006 .06
MRAM technology - Recent progress and issues
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2003 .06
Spin-Torque Switching in Integrated ST-MRAM Arrays
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2010 .12
스핀 전달 토크 자화반전을 이용한 자기 터널 접합 소자에서의 열적 안정성
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2009 .05
Good Scalability of Study of Spin Torque Transfer MRAMs with Perpendicular Magnetization MTJs
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2008 .12
Current Aspects and Future Perspectives of High - Density MRAM
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2003 .12
Present of MRAM development in Samsung
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2019 .11
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