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다결정 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막의 자기적 상들에 관한 연구가 이루어졌다. Molecular beam epitaxy(MBE) 장비를 이용해 400 ℃에서 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막을 성장시켰다. Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막의 캐리어 유형은 P타입 이였고, 전기 비저항 값은 4.0 × 10<SUP>?2</SUP>~1.5 × 10<SUP>?4</SUP> ohm-㎝이었다. 자기적인 특성과 미세구조의 분석에 기초하여 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB>/SiO₂/Si(100) 박막에 310 K 이내의 큐리에온도를 지닌 강자성의 Ge₃Mn? 상이 형성되었음을 알 수 있었다. 게다가, Ge₃Mn? 상이 형성된 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막은 20 K, 9 T의 자기장에서 약 9 %의 음의 자기저항을 보였다.
목차
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Results and Discussion
Acknowledgement
References
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