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저온 증착법으로 성장시킨 비정질 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막을 열처리하여 전기적, 자기적 특성을 연구하였다. 비정질 박막의 두께는 1,000~5,000 A이고 비정질 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막을 고 진공 분위기 하에서 각각 300 ℃, 400 ℃, 500 ℃, 600 ℃, 700 ℃ 온도에서 3분 동안 열처리 하였다. 원 시료의 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막을 X-선 회절로 분석해보면 비정질 구조를 보였지만 열처리를 함으로써 결정화되었다. 비정질 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mnx 박막에서 결정화가 이루어진 온도는 Mn 농도에 따라 변화하였다. 비정질 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막은 p형 캐리어를 가지고 있고 열처리 동안에도 캐리어 형태는 변하지 않았다. 하지만, 전기 비저항은 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였다. 자기적 특성에서 원 시료의 비정질 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막은 강자성특성을 보이면서 큐리온도는 약 130 K 정도이다. 열처리한 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB>박막의 큐리온도와 포화 자화값은 열처리 온도에 따라 증가한다. 자화거동과 X-선 분석을 통해 열처리한 Ge<SUB>1 ? x</SUB>Mn<SUB>x</SUB> 박막에 전기적, 자기적 특성의 변화는 강자성 Ge₃Mn? 상이 형성되었음을 나타낸다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 토의
감사의 글
참고문헌

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