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저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제53C권 제10호
발행연도
2004.10
수록면
495 - 499 (5page)

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Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개

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[학술지(정기간행물)] - U. Schmid / 1999. / Temperature behavior of specific contact resistance and resistivity on nitrogen implanted 6H-SiC with titanium silicide ohmic contacts 85 (5) : 2681 ~ 2686 google schola [학술지(정기간행물)] - N. A. Papamicolaou / 1998. / Si/Pt ohmic contacts to p-type 4H-SiC 73 (14) : 2009 ~ 2011 google schola [학술지(정기간행물)] - T. N. Oper / 1998. / High temperature stability of chromium boride ohmic contacts to p-type 6H-SiC 27 (4) : 324 ~ 329 google schola [학술지(정기간행물)] - R. Konishi / 2003. / Development of Ni/Al and Ni/Ti/Al ohmic contact materials for p-type 4H- SiC 98 : 286 ~ 293 google schola [학술지(정기간행물)] - T. Nakamura / 2002. / Schottky barrier height of a new ohmic NiSi2 to n-type 6H-SiC 46 : 2063 ~ 2067 google schola

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