지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
Abstract
1. 서론
2. 해석적인 항복전압
3. 결론
참고문헌
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
원통형 접합 펀치쓰루 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 모델링
전기학회논문지
1996 .05
원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .07
Punchthrough 원통형 접합의 항복전압에 대한 해석적 모델 ( An Analytic Model for Punchthrough Limited Breakdown Voltage of Cylindrical Junctions )
전자공학회논문지-D
1999 .04
Gated Diode의 항복전압에 관한 해석적 표현
전기학회논문지 C
2000 .05
이중 에피층을 갖는 쇼트키 다이오드의 항복전압 모형
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
InP 다이오드에서 항복전압의 해석적 모델
전자공학회논문지-IE
2007 .03
채널의 길이가 짧은 NMOS 트랜지스터의 Threshold 전압과 Punchthrough 전압의 감소에 관한 실험적 연구 ( An Experimental Study on the Threshold Voltage and Punchthrough Voltage Reduction in Short-Channel NMOS Transistors )
전자공학회지
1983 .03
〈 100 〉〈 110 〉 및 〈 111 〉 방향의 GaAs 평면형 p + n 접합과 원통형 p + n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현 ( Analytical Expressions for Breakdown Voltage of GaAs Parallel-Plane p + n Junction and Cylindrical p + n Junction in 〈 100 〉〈 110 〉 and 〈 111 〉 Orientations )
대한전자공학회 세미나
1996 .01
이중 에피층을 갖는 Schottky 다이오드의 항복전압에 대한 해석적인 모델링
전기학회논문지
1996 .12
GaAs 쇼트키 다이오드의 항복전압 모델링
전기학회논문지
1998 .08
N+P+P-N+ 구조를 가진 Punch-through 다이오드의 항복전압 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
n+ ―p ― p+ 다이오드의 전압 전류 특성 해석 ( The J-V characteristics of n+ ―p ― p+ diodes )
대한전자공학회 학술대회
1990 .07
높은 항복전압을 위한 최적 계단산화막의 쇼트키 다이오드 ( The Schottky Diode of Optimal Stepped Oxide Layer for High Breakdown Voltage )
전자공학회논문지
1986 .07
구형 PN 접합의 항복전압에 대한 소고
대한전기학회 학술대회 논문집
2008 .10
소자파라미터에 따른 DGMOSFET의 항복전압분석
한국정보통신학회논문지
2013 .02
Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes
전자공학회논문지-SD
2008 .06
Ⅲ-Ⅴ족 반도체에서 계단형 pn 접합의 해석적 항복전압 모델
전자공학회논문지-SD
2004 .09
6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현
전자공학회논문지-SD
2009 .06
온도를 고려한 GaAs p+n 접합의 해석적 항복 전압
전기학회논문지 C
1999 .04
제너다이오드의 열화평가를 위한 전압제어 출력 전류원 개발
한국항행학회논문지
2017 .01
0