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Abstract
1. 서론
2. 원통형 접합에 대한 항복전압의 해석
3. 계산결과와 시뮬레이션과의 비교
4. 결론
참고문헌
저자소개
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원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산
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Punchthrough 원통형 접합의 항복전압에 대한 해석적 모델 ( An Analytic Model for Punchthrough Limited Breakdown Voltage of Cylindrical Junctions )
전자공학회논문지-D
1999 .04
펀치드루 다이오드의 평면형 항복전압에 대한 해석적인 모형
전기학회논문지
1996 .07
원통형 및 구형 p-n 접합의 항복전압에 대한 불순물 농도비의 영향
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
원통형 및 구형 p-n 접합의 항복전압에 대한 불순물 농도비의 영향 ( Effects of the Impurity Concentration Ratio on the Breakdown Voltage of the Cylindrical and Spherical p-n Junction )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
온도를 고려한 GaAs p+n 접합의 해석적 항복 전압
전기학회논문지 C
1999 .04
〈 100 〉〈 110 〉 및 〈 111 〉 방향의 GaAs 평면형 p + n 접합과 원통형 p + n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현 ( Analytical Expressions for Breakdown Voltage of GaAs Parallel-Plane p + n Junction and Cylindrical p + n Junction in 〈 100 〉〈 110 〉 and 〈 111 〉 Orientations )
대한전자공학회 세미나
1996 .01
Gated Diode의 항복전압에 관한 해석적 표현
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2000 .05
LDD 공정 조건에 따른 펀치쓰루 및 핫 캐리어 효과에 관한 연구
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전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압
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구형 PN 접합의 항복전압에 대한 소고
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2008 .10
GaAs 쇼트키 다이오드의 항복전압 모델링
전기학회논문지
1998 .08
이중 에피층을 갖는 쇼트키 다이오드의 항복전압 모형
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
이중 에피층을 갖는 Schottky 다이오드의 항복전압에 대한 해석적인 모델링
전기학회논문지
1996 .12
Ⅲ-Ⅴ족 반도체에서 계단형 pn 접합의 해석적 항복전압 모델
전자공학회논문지-SD
2004 .09
InP 다이오드에서 항복전압의 해석적 모델
전자공학회논문지-IE
2007 .03
전력용 반도체 소자의 설계 제작에 있어서 Fixed oxide charge가 p+/n 접합의 항복전압에 미치는 영향
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붕소 이온주입에 의한 p+n 접합 다이오드에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
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채널의 길이가 짧은 NMOS 트랜지스터의 Threshold 전압과 Punchthrough 전압의 감소에 관한 실험적 연구 ( An Experimental Study on the Threshold Voltage and Punchthrough Voltage Reduction in Short-Channel NMOS Transistors )
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N+P+P-N+ 구조를 가진 Punch-through 다이오드의 항복전압 특성
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