고출력 과도전자파에 의한 반도체 소자의 파괴효과

黃先黙; 洪冑壹; 許昌洙

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자료유형: 학술저널

저자정보: 黃先黙 (인하대학교) 洪冑壹許昌洙

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제9호

발행연도: 2007.9

수록면: 1,638 - 1,642 (5page)

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This paper investigated the destruction effect of the semiconductors by impact of high power electromagnetic wave. The experiments is employed as an open-ended waveguide to study the destruction effects on semiconductor using a 2.45 ㎓ 600 W Magnetron as a high power electromagnetic wave. The semiconductors are located at a distance of 31 ㎝ ~ 40 ㎝ from the open-ended waveguide and are composed of a LED drive circuit for visual discernment. Also the chip condition of semiconductor is observed by SEM(Scanning Electron Microscope) analysis. The semiconductor are damaged by high power electromagnetic wave at about 860 V/m. The SEM analysis of the destructed devices showed onchipwire and bond wire destructions. Based on the result, semiconductor devices should have plan to protect the semiconductor devices form high power electromagnetic wave. And the database from this experiment provides the basis for future investigation.

#Semiconductor #SEM #Magnetron #Destruction #High Power Electromagnetic Wave

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1. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / Predicting the Breakdown Behavior of Microcontrollers Under EMP/UWB Impact Using a Statistical Analysis 46 : 369 ~

2. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Influence of the technology on the destruction effects of semiconducters by impact of EMP and UWB pulses 1 : 87 ~ 92

3. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / Susceptibility of some electronic equipment to HPEM threats 46 (3) : 380 ~ 389

4. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / Hardware and software simulation of transient pulse impact on integrated circuits 2 : 489 ~ 494

5. [학술지(정기간행물)] - / 1995 / Estimation of aluminum and gold bond wire fusing current and fusing time 18 (1) : 1 210 ~ 214

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