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자료유형
학술저널
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저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.26 No.12
발행연도
2009.12
수록면
32 - 40 (9page)

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#Deep RIE (심도 반응성 이온 식각) #Through Silicon Via (관통형 실리콘 비아) #Bosch Process (보쉬공정) #Cryogenic Process (극저온 공정)

목차

1. 서론
2. DRIE를 이용한 TSV 형성 방법
3. DRIE 식각 장치 및 특성 분석
4. DRIE 공정 변수가 식각 공정에 미치는 영향
5. DRIE 식각 기술 문제점 해결 방법
6. DRIE 식각 실험 결과
7. 결론
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