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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.11
- 수록면
- 3,022 - 3,027 (6page)
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Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly (styrenesulphonate) (PEDOT:PSS) have been paid great attention for various application fields. Schottky diodes were fabricated using four different concentrations of TiO₂ in PEDOT:PSSsolutions. The forward current increased as the TiO₂ concentration increased, and the enhancement of forward current was nearly four orders of magnitude with respect to pristine PEDOT:PSS Schottky diode. To fabricate GaN Schottky diode, Ga₂O₃ nanorods were fabricated. The conversion of gallium oxide to gallium nitride is important due to the variety of application fields of GaN including ultra-violet and blue light emitting diodes. Two different synthetic routes have been employed to fabricate the gallium oxide. Energy dispersive spectroscopy (EDS) was performed to analyze the composition. The X-ray diffraction (XRD) pattern of gallium oxide and GaN can be assigned to orthorhombic GaO(OH) and hexagonal wurtzite structure GaN, respectively.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
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