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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
85V RESURF LDMOS with High Energy Implanted Drift Region
대한전자공학회 ISOCC
2007 .10
RESURF LDMOS와 VDMOS의 ON 저항 비교연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압 ( The Breakdown Voltage of RESURF Lateral IGBT )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
RESURF PB 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS의 항복전압 개선
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
Low side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS와 nch-JFET 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
RESURF PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현 ( Analytical Expression for the Breakdown Voltage and Optimum Lateral Dimension of the RESURF PN Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 - 제1편 : 항복전압 ( New Model for RESURF Lateral DMOST Optimization - Part Ⅰ: Breakdown Voltage )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 : 제1편 : 항복전압
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
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