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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
600 V급 IGBT Single N+ Emitter Trench Gate 구조에 따른 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
The Effect of a Shielding Layer on Breakdown Voltage in a Trench Gate IGBT
ICPE(ISPE)논문집
2007 .10
500 V급 Unified Trench Gate Power MOSFET 공정 및 제작에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2013 .01
Analysis of Lattice Temperature in Super Junction Trench Gate Power MOSFET as Changing Degree of Trench Etching
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2014 .06
트렌치 게이트 IGBT 에서의 공정 및 설계 파라미터에 따른 항복 전압 특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2007 .01
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
고 전력 DMOSFET 응용을 위한 트렌치 게이트 형성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2004 .01
Trenched-Sinker LDMOSFET (TS-LDMOS) Structure for 2 GHz Power Amplifiers
[ETRI] ETRI Journal
2003 .06
TRENCH GATE POWER MOSFET의 신뢰성 분석 연구
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Trench Gate in the Static Induction Transistor with Improved Breakdown Characteristics
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2006 .07
N 버퍼층을 갖는 수퍼접합 LDMOS
전기학회논문지 C
2006 .02
Cylindrical 구조를 갖는 LDMOS의 Drain 역방향 항복전압의 계산 방법
전기학회논문지
2012 .12
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
낮은 온저항과 칩 효율화를 위한 Unified Trench Gate Power MOSFET의 설계에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2013 .01
트랜치 에미터 전극을 이용한 수직형 NPT 트랜치 게이트 IGBT의전기적 특성 향상 연구
전기전자재료학회논문지
2006 .01
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